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충남대 윤순길 교수, 미국 물리학회 우수논문으로 선정 2007-08-28
작성자 : 관리자 조회수 : 1081
 

반도체 메모리 소자에서 Flash memory 대체할 저항성 메모리소자개발



 충남대학교 나노공학부 윤순길 교수의 논문이 미국 과학연구소와 물리학회로부터 우수 논문으로 뽑혀 전문 저널에 게재됐다.


 반도체 메모리 소자에서 플래시 메모리를 대체할 저항성 메모리 소자개발을 앞장서고 있는 윤순길 교수는Thermal treatment of Ag/Ag-doped (Ge45Te55)0.7N0.3 electrolyte films in switching characteristics of programmable metallization cell memory(저항성 메모리소자에서 스윗칭 특성의 향상을 위한 Ag가 도핑된 GeTeN 전해질박막의 열처리 특성)논문으로 미국 과학연구소와 물리학회로부터 우수 논문으로 선정됐다.


 이 논문은 나노과학기술 분야에서 선구적인 연구내용만을 엄선해 게재하고 있는 ‘Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology(나노과학기술의 가상저널)’ 8월호에 실릴 예정이다. 이에 앞서 윤 교수의 논문은 미국 ‘American Institute of Physics(미국과학연구소)’ 에서 발행되는 'Journal of Electrochemical Society'(미국의 전기화학회지, 2007년 7월)에 실려 연구의 전문성을 인정받았다.


 윤순길 교수에 따르면 켈코지나이드(GeTeN)를 고체전해질로 이용하여 여기에 은(Ag)를 첨가하면 저항성 메모리소자로 활용이 가능하다.


 이를 통해 현재 휘발성 메모리인 DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 대체할 메모리로 ReRAM(저항변화 메모리)이 PRAM(상변화 메모리)과 더불어 연구에 박차를 가할 수 있게 되었다.


 특히 국내 반도체 관련 세계적 회사인 삼성에서도 이번 두 메모리사업에 사활을 걸어 독자적인 재료공정 및 설계기술을 보유하고자 노력하고 있는 상황에서 윤 교수 연구팀은 산업자원부에서 수행하는 ‘차세대 비휘발성 메모리 개발사업(한양대주관)’에 ReRAM 분야에 참여하여 이와 같은 연구결과를 내게 되었다.


 윤 교수는 산자부의 신 성장동력 사업인 PRAM 사업(삼성전자 주관) 에도 참여하고 있으며 PRAM 사업과 ReRAM 사업 중에 어떠한 것이 성공할지는 아무도 예측하지 못하고 있는 실정에서 본 연구실에서는 우수한 연구결과를 낼 수 있도록 대학원생들과 부단히 노력하고 있다.

 
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